测量半导体激光器线宽增加因子α的新方法

廖江红

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测量半导体激光器线宽增加因子α的新方法

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 测量半导体激光器线宽增加因子α的新方法
- New Method of Measuring Linewidth Enhancement Factor of Semiconductor Laser
- 光学精密工程 1992年0卷第6期页码：52-55
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  中图分类号：
- 网络出版日期：1992-12-15，
  
  纸质出版日期：1992-12-15
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廖江红. 测量半导体激光器线宽增加因子α的新方法[J]. 光学精密工程, 1992,(6): 52-55

Liao Jianghong. New Method of Measuring Linewidth Enhancement Factor of Semiconductor Laser[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1992,(6): 52-55
廖江红. 测量半导体激光器线宽增加因子α的新方法[J]. 光学精密工程, 1992,(6): 52-55 DOI：

Liao Jianghong. New Method of Measuring Linewidth Enhancement Factor of Semiconductor Laser[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1992,(6): 52-55 DOI：

摘要

建议了一种直接测量线宽增加因子α的新方法

完成 HLP1400(Hitachi)的半导体激光器的线宽因子的测量

其结果为α=4±1.3.

Abstract

This paper presents a method of directly measuring the linewidth en- hancement factor α.The experiment of HLP 1400 semicondctor laser is carried out and the factor is -4±1.3.

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测量半导体激光器线宽增加因子α的新方法

New Method of Measuring Linewidth Enhancement Factor of Semiconductor Laser

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