用CHF3/Ar为工作气体刻蚀融石英

周明宝; 崔铮; Prewett D P

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用CHF₃/Ar为工作气体刻蚀融石英

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 用CHF₃/Ar为工作气体刻蚀融石英
- Investigation of Reactive Ion Etching of Fused Quartz
- 光学精密工程 1999年7卷第2期页码：67-72
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院光电技术研究所, 微细加工光学技术国家重点实验室成都,610209
  2. 英国卢瑟福国家实验室微结构中心
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1997-07-14，
  
  修回日期：1998-08-25，
  
  网络出版日期：1999-04-15，
  
  纸质出版日期：1999-04-15
- 稿件说明：
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周明宝, 崔铮, Prewett D P . 用CHF3/Ar为工作气体刻蚀融石英[J]. 光学精密工程, 1999,(2): 67-72

ZHOU Ming-Bao, CUI Zheng, Prewett D P . Investigation of Reactive Ion Etching of Fused Quartz[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1999,(2): 67-72
周明宝, 崔铮, Prewett D P . 用CHF3/Ar为工作气体刻蚀融石英[J]. 光学精密工程, 1999,(2): 67-72 DOI：

ZHOU Ming-Bao, CUI Zheng, Prewett D P . Investigation of Reactive Ion Etching of Fused Quartz[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1999,(2): 67-72 DOI：

摘要

报道了用氟利昂CHF

和氩气Ar作工作气体的反应离子刻蚀融石英的技术。研究了气体流速、腔压和射频等离子体功率对刻蚀速度的影响

并分析了刻蚀工艺对样品表面的污染

同时也考察了刻蚀工艺的均匀性和重复性。为了优化刻蚀工艺

采用Rs1/Discover软件工具设计优化实验。实验中射频等离子体功率范围在120～160W

氩气和氟利昂流速分别在15～35sccm(1cm

/min standard cubic centimeter/minute)和20～50sccm范围

腔压在13～19Pa范围

相应的刻蚀速度为15～25nm/min.

Abstract

In this paper we report the reactive ion etching(RIE)of quartz by using CHF

and argon.The effects of gas flow rate

chamber pressure

and rf(radio frequency)plasma power on the etch rate were investigated and the surface contamination due to RIE was examined.The quartz etch depth uniformity and repeatability was also examined.In order to optimise the etch process

the RS1/Discover software tool was used to design the experiments.The rf plasma power varied between 120 and 160 watts.Argon and CHF

flow rates were 15-35 sccm and 20-50 sccm respectively

and pressure was in the range of 13-19 Pa.The etch rate varied between 15 and 25 nm/min.

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