68.5 W连续输出1 060 nm波段半导体激光列阵模块

尧 舜; 套格套; 路国光; 刘 云; 姚 迪; 王立军

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68.5 W连续输出1 060 nm波段半导体激光列阵模块

更新时间：2020-08-12

- 68.5 W连续输出1 060 nm波段半导体激光列阵模块
- 1 060 nm wavelength high power diode array module
- 光学精密工程 2006年14卷第1期页码：8-11
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院研究生院,北京 100039
  2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理实验室, 吉林长春130033
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN248.4
- 收稿日期：2005-10-22，
  
  修回日期：2005-11-12，
  
  网络出版日期：2006-02-20，
  
  纸质出版日期：2006-02-20
- 稿件说明：
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尧舜, 套格套, 路国光, 等. 68.5 W连续输出1 060 nm波段半导体激光列阵模块[J]. 光学精密工程, 2006,14(1):8-11.

YAO Shun, TAO Ge-tao, LU Guo-guang, et al. 1 060 nm wavelength high power diode array module[J]. Optics and precision engineering, 2006, 14(1): 8-11.
尧舜, 套格套, 路国光, 等. 68.5 W连续输出1 060 nm波段半导体激光列阵模块[J]. 光学精密工程, 2006,14(1):8-11. DOI：

YAO Shun, TAO Ge-tao, LU Guo-guang, et al. 1 060 nm wavelength high power diode array module[J]. Optics and precision engineering, 2006, 14(1): 8-11. DOI：

摘要

利用InGaAs/InGaAsP应变量子阱外延层材料制作出高功率半导体激光列阵模块。激光芯片宽1 cm

腔长1200 μm

条宽200 μm

填充密度为50%

前后腔面光学膜分别为单层Al

和Al

/5(HfO

/SiO

)/HfO

室温连续输出功率达到68.5 W

器件光谱中心波长为1 059 nm

光谱宽度(FWHM)为9 nm。

Abstract

InGaAs/GaAsP strained-compensated single-quantum well structure with an emission wavelength of 1 060 nm was grown. The laser bars with a stripe width of 200 μm and a filling factor of 50% was fabricated. The back HR coating is Al

/5(HfO

/SiO

)/HfO

and the front AR coating is Al

.The module’s CW output power reaches to 68.5 W at a current of 80 A. The threshold current is 10 A and the central wavelength is 1 059 nm with a FWHM of 9 nm.

关键词

Keywords

references

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