金属有机化合物汽相淀积技术制备 布拉格反射镜确定外延厚度的方法

盖红星; 陈建新; 邓 军; 廉 鹏; 俞 波; 李建军; 韩 军; 沈光地

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

金属有机化合物汽相淀积技术制备布拉格反射镜确定外延厚度的方法

更新时间：2020-08-12

- 金属有机化合物汽相淀积技术制备布拉格反射镜确定外延厚度的方法
- Determining method of the thickness of the distributed Bragg reflector grown by metal-organic chemical vapor depositon
- 光学精密工程 2006年14卷第1期页码：54-57
- 作者机构：
  
  北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京 100022
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O484.5
- 收稿日期：2005-09-22，
  
  修回日期：2005-11-18，
  
  网络出版日期：2006-02-20，
  
  纸质出版日期：2006-02-20
- 稿件说明：
移动端阅览
盖红星, 陈建新, 邓军, 等. 金属有机化合物汽相淀积技术制备布拉格反射镜确定外延厚度的方法[J]. 光学精密工程, 2006,14(1):54-57.

GAI Hong-xing, CHEN Jian-xin, DENG Jun, et al. Determining method of the thickness of the distributed Bragg reflector grown by metal-organic chemical vapor depositon[J]. Optics and precision engineering, 2006, 14(1): 54-57.
盖红星, 陈建新, 邓军, 等. 金属有机化合物汽相淀积技术制备布拉格反射镜确定外延厚度的方法[J]. 光学精密工程, 2006,14(1):54-57. DOI：

GAI Hong-xing, CHEN Jian-xin, DENG Jun, et al. Determining method of the thickness of the distributed Bragg reflector grown by metal-organic chemical vapor depositon[J]. Optics and precision engineering, 2006, 14(1): 54-57. DOI：

摘要

外延膜层厚度的精确性对垂直腔面发射激光器(VCSEL)是十分重要的。应用传输矩阵方法分析了厚度偏差对半导体布拉格反射镜(DBR)反射谱的影响

并利用这种影响提出了一种金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)制备布拉格反射镜精确确定外延厚度的方法。据此

应用MOCVD生长了980 nmVCSEL外延片

其反射谱中心波长为982 nm。结果表明

应用这种方法能够实现材料厚度、MOCVD系统生长参数的定标以及为VCSEL的材料生长提供可靠的依据。

Abstract

For a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL)

the epilayer thickness accuracy is very important. The influence of the thickness deviation on the reflection spectrum of semiconductor materials DBR was analyzed using the transfer matrix method. By the influence

a determining method of the thickness of the DBR grown by MOCVD was presented. Based on the approach

the 980 nmVCSEL wafer was grown by MOCVD

in which center wavelength of the VCSEL reflection spectrum is 982 nm. The results show that the method can be used in verifying the thickness of the epitaxy materials and growth parameters of the MOCVD and provide the reliable information for the VCSEL growth.

关键词

Keywords

references

. KOSAKA H. Smart integration and packaging of 2D VCSEL's for high speed parallel links[J].IEEE J.Select.Topics in Quant.Electron. 1999,5(2):184-193.

. 孙艳芳,金振花,宁永强,等. 高功率低发射VCSELs的制作与特性研究[J]. 光学精密工程,2004,12(5):449-453. SUN Y F, JIN ZH H, NING Y Q, et al. Fabrication and experimental characterization of high power bottom-emitting VCSELs[J]. Optics and Precision Engineering, 2004,12(5):449-453.(in Chinese)

. KOSAKA H. VCSEL array module and its applications for optical inter connection and swithch [J]. Jpn..J Appl.Phys., 1998,37:1394-399.

. JEWELL J L,HARBISON J P, SCHERER, A. Vertical-cavity surface-emitting lasers: Design, growth, fabrication, characterization[J]. IEEE Journal of Quantum Electronics,1991,27(6):1332-1346.

. 张益,潘钟,杜云. 选择腐蚀确定垂直腔面发射激光器生长偏差对模式波长的影响[J]. 半导体学报.1998,19(1):76-80. ZHANG Y, PAN ZH, DU Y. Determining the influence of growth deviation on mode wavelength of VCSEL by selective etching [J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1998,19(1):76-80.(in Chinese)

. 杨树梅. CAD在光学薄膜设计和生产中的应用[J]. 光学精密工程,1996,4(6):22-24. YANG SH M, Application of CAD in design and manufacture for optical thin films[J].Optics and Precision Engineering, 1996,4(6):22-24.(in Cinese)

. KIM B G,GARMIRE E. Comparison between the matrix method and the coupled wave method in the analysis of Bragg reflector structures[J].JOSA A, 1992,9:132-136.

. BREILAND W G,COLTRIN M E,CREIGHTON J R,et al. Organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE)[J]. Materials Science and Engineering, 1999,R24: 241-274.

浏览量

488

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据