离子辅助制备碳化硅改性用硅膜的研究

陈红; 高劲松; 宋琦; 王彤彤; 申振峰; 王笑夷; 郑宣鸣; 范镝

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离子辅助制备碳化硅改性用硅膜的研究

现代应用光学 | 更新时间：2020-08-12

- 离子辅助制备碳化硅改性用硅膜的研究
- Study of Si modified coatings on SiC substrate with ion beam assisted
- 光学精密工程 2008年16卷第3期页码：381-385
- 作者机构：
  
  长春光学精密机械与物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：2007-07-20，
  
  修回日期：2007-10-30，
  
  网络出版日期：2008-03-22，
  
  纸质出版日期：2008-03-22
- 稿件说明：
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陈红,高劲松,宋琦,王彤彤,申振峰,王笑夷,郑宣鸣,范镝. 离子辅助制备碳化硅改性用硅膜的研究[J]. 光学精密工程, 2008,16(3):381-385

Study of Si modified coatings on SiC substrate with ion beam assisted[J]. Optics and precision engineering, 2008, 16(3): 381-385.
陈红,高劲松,宋琦,王彤彤,申振峰,王笑夷,郑宣鸣,范镝. 离子辅助制备碳化硅改性用硅膜的研究[J]. 光学精密工程, 2008,16(3):381-385 DOI：

Study of Si modified coatings on SiC substrate with ion beam assisted[J]. Optics and precision engineering, 2008, 16(3): 381-385. DOI：

摘要

本文介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发，在碳化硅（Silicon Carbide: SiC）材料上制备硅改性薄膜的方法，研究了不同沉积速率下改性后的抛光效果。对样品进行了表面散射及反射的测量。通过样品的显微照片可知硅膜层在沉积速率增大条件下结构趋于疏松。通过精细抛光改性的反应烧结碳化硅（Reaction Bonded Silicon Carbide: RB-SiC）样品表面散射系数减小到1.46%，反射率接近抛光良好的微晶玻璃。温度冲击实验和表面拉力实验表明硅膜无龟裂和脱落，性质稳定，与碳化硅基底可以良好的结合。

Abstract

Ion beam assisted deposition (IBAD) based on End-Hall source was introduced to fabricate a Si coating on RB-SiC substrate. High-quantity surface photograph

surface scattering at 635nm and reflectance spectrum were measured at room temperature. The results showed that films became loose under fast deposition rates. The coefficient of surface scattering was decreased from 3.56% to 1.46% after surface modified polish by Si coating

which was approximate to the scattering level of Zerodur glass. The temperature and surface tensile experiment indicated that Si coating was combined well with the SiC substrate.

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