碳化硅陶瓷新型反应连接技术研究

张舸

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碳化硅陶瓷新型反应连接技术研究

现代应用光学 | 更新时间：2020-08-12

- 碳化硅陶瓷新型反应连接技术研究
- Study on a new-type reaction-formed joint technology in reaction bonded silicon carbide ceramics
- 光学精密工程 2008年16卷第6期页码：1037-1041
- 作者机构：
  
  长春光学精密机械与物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：2008-01-22，
  
  修回日期：2008-04-06，
  
  网络出版日期：2008-06-25，
  
  纸质出版日期：2008-06-25
- 稿件说明：
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张舸. 碳化硅陶瓷新型反应连接技术研究[J]. 光学精密工程, 2008,16(6):1037-1041

Study on a new-type reaction-formed joint technology in reaction bonded silicon carbide ceramics[J]. Optics and precision engineering, 2008, 16(6): 1037-1041.
张舸. 碳化硅陶瓷新型反应连接技术研究[J]. 光学精密工程, 2008,16(6):1037-1041 DOI：

Study on a new-type reaction-formed joint technology in reaction bonded silicon carbide ceramics[J]. Optics and precision engineering, 2008, 16(6): 1037-1041. DOI：

摘要

在碳化硅陶瓷反应连接工艺的基础上研究了一种新型的反应连接工艺，利用该工艺连接了自制的反应烧结碳化硅（RB-SiC）陶瓷。连接的RB-SiC陶瓷样品表面经过初步抛光后，测试了焊缝宽度、焊缝处的显微组织结构、连接层的力学性能和高低温实验后连接层对表面面形的影响。测试结果表明：利用新型反应连接工艺连接的RB-SiC陶瓷的焊缝宽度分布在54-77μm之间；焊缝处的显微组织结构非常均匀，接近基体材料；测试了十个样品的室温抗弯强度，平均值为307MPa，而且断裂都产生在母材上，说明焊缝处力学性能优异；高低温实验后，整块碳化硅陶瓷表面面形无变化，说明连接层的热学性能与母材一致，无残余应力。

Abstract

Joining the reaction bonded silicon carbide(RB-SiC) by a new-type reaction-formed joint technology which developed from the traditional reaction-formed joint process. Testing the thickness

microstructure

mechanical and thermal properties of the welding line. The test results show that the welding line’s thickness is very thin

during 54-77μm

and its microstructure is similar to the RB-SiC ceramic

so its mechanical property is excellent

the average bending strength of 10 joints is 307MPa. And the welding line didn’t influence the surface figure before and after the temperature of the joining blank changed fast from -10℃ to 65℃ three times.

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