1.2 m SiC主镜轻量化设计与分析

王富国; 杨洪波; 赵文兴; 杨飞

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1.2 m SiC主镜轻量化设计与分析

现代应用光学 | 更新时间：2020-08-12

- 1.2 m SiC主镜轻量化设计与分析
- Lightweight design and analysis of a 1.2 m SiC primary mirror
- 光学精密工程 2009年17卷第1期页码：85-91
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林长春 130033
  2. 中国科学院研究生院北京,100039
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  中国科学院三期创新基金资助项目()
- DOI：
  中图分类号： TH75
- 收稿日期：2008-08-10，
  
  修回日期：2008-09-17，
  
  网络出版日期：2009-01-25，
  
  纸质出版日期：2009-01-25
- 稿件说明：
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王富国, 杨洪波, 赵文兴, 杨飞. 1.2 m SiC主镜轻量化设计与分析[J]. 光学精密工程, 2009,17(1): 85-91

WANG Fu-guo, YANG Hong-bo, ZHAO Wen-xing, YANG Fei. Lightweight design and analysis of a 1.2 m SiC primary mirror[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 2009,17(1): 85-91
王富国, 杨洪波, 赵文兴, 杨飞. 1.2 m SiC主镜轻量化设计与分析[J]. 光学精密工程, 2009,17(1): 85-91 DOI：

WANG Fu-guo, YANG Hong-bo, ZHAO Wen-xing, YANG Fei. Lightweight design and analysis of a 1.2 m SiC primary mirror[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 2009,17(1): 85-91 DOI：

摘要

为了探索研究大口径轻量化SiC主镜的可行性

对比分析了各种主镜轻量化形式的优缺点

确定了主镜的支撑方式;然后

从理论上计算了轻量化镜体结构参数

设计了采用夹心三明治结构扇形轻量化孔形式的1.23 m SiC轻量化主镜。利用有限元方法分析了轻量化主镜在浮动支撑下的自重变形

两种工况下的面形分别为:PV=9.43 nm

RMS=2.5 nm;PV=16.7 nm

RMS=3.2 nm。分析结果表明

镜体的自重变形影响较小

可以满足要求。而由于SiC的热膨胀系数较大

热变形影响较大

在稳态温度场下

温度每相差1 ℃

镜面面形变化约为PV=40 nm

RMS=4.8 nm

说明为了达到了设计要求

必须对镜体采取热控措施。

Abstract

In order to explore the feasibility of the large lightweight SiC primary mirror

the different lightweight forms were compared and a supporting way for the primary mirror was determined. After theoretically calculating the light weighted structure parameters

a sandwich structure SiC primary mirror with sector holes was designed. With the finite element method

the self-weight deformation for the lightweight mirror upholded by a float support was analyzed. Under the two different conditions

the mirror surface figures were PV=9.43 nm

RMS=2.5 nm and PV=16.7 nm

RMS=3.2 nm

respectively. The results indicated that the influence of the self-weight deformation is smaller while the thermal deformation is larger because of the large coefficient of thermal expansion of SiC. At steady-state temperature field

when temperature changes 1 ℃

the mirror surface figure changes PV=40 nm

RMS=4.8 nm. These results reported here suggest that the thermal control must be applied to the mirror.

关键词

Keywords

references

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