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808 nm和980 nm半导体激光迭阵波长耦合技术
现代应用光学 | 更新时间:2020-08-12
    • 808 nm和980 nm半导体激光迭阵波长耦合技术

    • 808 nm and 980 nm high power laser diode stack with wavelength coupling

    • 光学精密工程   2009年17卷第1期 页码:8-13
    • 中图分类号: TN248.4
    • 收稿日期:2008-05-14

      修回日期:2008-07-10

      网络出版日期:2009-01-25

      纸质出版日期:2009-01-25

    移动端阅览

  • 顾媛媛, 冯广智, 单肖楠, 邓鑫李, 尹红贺, 刘云, 秦莉, 王立军. 808 nm和980 nm半导体激光迭阵波长耦合技术[J]. 光学精密工程, 2009,17(1): 8-13 DOI:

    GU Yuan-yuan, FENG Guang-zhi, SHAN Xiao-nan, DENG Xin-li, YIN Hong-he, LIU Yun, QIN Li, WANG Li-jun. 808 nm and 980 nm high power laser diode stack with wavelength coupling[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 2009,17(1): 8-13 DOI:

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吉林大学 白求恩第一医院
苏州国科医工科技发展(集团)有限公司
中国科学院 苏州生物医学工程技术研究所
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