大规模集成电路SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析

陈长征

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大规模集成电路SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析

微纳技术与精密机械 | 更新时间：2020-08-12

- 大规模集成电路SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析
- The total dose effect and radiation destroy reasons of VLSI SRAM and ROM storages
- 光学精密工程 2009年17卷第4期页码：787-793
- 作者机构：
  
  长春光机所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：2007-11-20，
  
  修回日期：2008-03-27，
  
  网络出版日期：2009-04-25，
  
  纸质出版日期：2009-04-25
- 稿件说明：
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陈长征. 大规模集成电路SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析[J]. 光学精密工程, 2009,17(4):787-793

The total dose effect and radiation destroy reasons of VLSI SRAM and ROM storages[J]. Optics and precision engineering, 2009, 17(4): 787-793.
陈长征. 大规模集成电路SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析[J]. 光学精密工程, 2009,17(4):787-793 DOI：

The total dose effect and radiation destroy reasons of VLSI SRAM and ROM storages[J]. Optics and precision engineering, 2009, 17(4): 787-793. DOI：

摘要

为了研究大规模集成电路存储器的总剂量辐射效应，对两种军品SRAM、ROM存储器进行了γ总剂量辐照实验，指出了这两种器件是总剂量效应的敏感器件，它们的损伤阈值都在10k rad(si)至15k rad(si)之间，证明了测试SRAM、ROM的辐射效应时，不能只对数据存取功能进行测试，器件的静态功耗电流与动态功耗电流也是总剂量的敏感参数，应该作为总剂量失效阈值的有效判据，最后根据实验结果，分析了SRAM、ROM器件的损伤机理。

Abstract

In order to research the total dose effects(TDEs) of very large scale integrated circuits(VLSI) storage

two kinds of SRAM and ROM storage are used as samples in radiation experiment. 60Co γ source is selected as the radiation source. According to the result of experiment

these two devices are all sensitive circuits of total dose effects. The destroy threshold is between 10k rad(si) and 15k rad(si). By cautious analysis

a credible conclusion is proved. We should not test data function only when testing the TDEs of VLSI storage

because the static consumption current and dynamic consumption current are sensitive parameter of TDEs. If we ignore these two parameter

we could not acquire credible the VLSI storage’s capability of defending irradiation. Finally

we analysed the destroy reasons of TDEs.

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