氮化镓基异质结构光子晶体微腔特性

氮化镓基异质结构光子晶体微腔特性 Study on the characteristics of gallium nitride based hetero-structure photonic crystal micro-cavity 1 first-author 1 2 1 corresp E-mail： liuqf@njupt.edu.cn；liuqf@njupt.edu.cn E-mail： liuqf@njupt.edu.cn；liuqf@njupt.edu.cn liuqf@njupt.edu.cn 南京邮电大学 通信与信息工程学院，江苏 南京 210003 南京邮电大学 通信与信息工程学院，江苏 南京 210003 College of Telecommunication and Information Engineering， Nanjing University of Posts and Telecommunications， Nanjing 210003， China College of Telecommunication and Information Engineering， Nanjing University of Posts and Telecommunications， Nanjing 210003， China 中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所，江苏 苏州 215123 中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所，江苏 苏州 215123 Key Laboratory of Nano devices and Applications， Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics（SINANO）， Chinese Academy of Sciences（CAS）， Suzhou 215123， China Key Laboratory of Nano devices and Applications， Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics（SINANO）， Chinese Academy of Sciences（CAS）， Suzhou 215123， China 本论文提出了氮化镓基有源体系的异质结构光子晶体谐振腔，以实现高品质因子和小模场体积的有源集成蓝光谐振。通过能带分析，明确了异质结构光子晶体谐振腔的工作机理。基于光子晶体的能带带边和带隙原理，实现了光子面内反馈、高品质因子谐振和面外垂直发射。基于时域有限差分方法，研究了核心区和包层区不同谐振腔参数下的谐振特性。讨论了微腔结构与谐振品质因子、腔损耗、谐振频率、模场体积等的影响关系。研究表明，通过异质结构可以有效的降低面内谐振损耗，实现了有源集成型蓝光波段的Purcell因子达到769，模场体积为0.7（ λ / n ） 3 。该研究为蓝光波段高 Q / V m 谐振腔的设计开辟了道路，同时为具备优异谐振特性的异质结构光子晶体微腔的研究奠定了方法和理论基础。 In order to obtain a resonant micro-cavity in blue band with high quality factor and small mode volume， this research proposed a two-dimensional photonic crystal resonant structure with hetero-structure on GaN based active platform. Through band structure analysis， the working mechanism of the hetero-structure photonic crystal resonator was clarified. Based on the band edge and band gap principle of photonic crystals， the photonic in-plane feedback， high quality factor resonance and out-of-plane vertical emission were realized. The resonance characteristics of the core region and the cladding region under different cavity parameters were studied based on the finite difference time domain （FDTD） simulation. The relationship between the micro-cavity structure and the resonance quality factor， cavity loss， resonance frequency， and mode volume were discussed. This research paves the way for the design of high-Q/V m resonator in the blue band， and lays a method and theoretical basis for the study of hetero-structure photonic crystal micro-cavities with excellent resonance characteristics. 异质结构光子晶体微腔 有限时域差分 品质因子 模场体积 面内反馈 hetero-structure photonic crystal micro-cavity finite difference time domain quality factor mode volume in-plane feedback 1 引 言 1 二维光子晶体通过周期性结构的两个基本特性—光子带隙和慢光模式，形成光子晶体谐振腔，利用这种微腔制作的光波导、滤波器、激光器和传感器等 ［ 1 1 - 3 3 1-3 ］ ，都呈现出了更好的模式特性和高的频率选择性。2003年，日本京都大学Noda小组 ［ 4 4 ］ 报道了一种缺陷型光子晶体微腔，通过微调腔内孔的位置使得腔内电磁场在光子晶体边界处的散射减小，最小化能量泄漏，在无源器件上获得了高达45 000的品质因子。在此启发下，人们对“缺陷”的概念有了新的认识，光子晶体的缺陷不仅是去掉某些空气孔，还可以采用异质光子晶体结构。 异质结构光子晶体微腔通过核心区的二级衍射使得满足晶格常数条件的频率光形成面内谐振，这些方向的光发生耦合从而形成驻波。利用包层区的带隙反射增强原理形成对核心区带边模式光子晶体谐振的面内反馈。V.Giannopoulos等 ［ 5 5 ］ 报道了一种基于InP的光子晶体异质结构微腔激光器，通过连接两个不同的光子晶体结构而形成，内部晶格的能带图的临界点位于周围晶格的带隙内，对中心区慢光模式的反馈实现了较低的阈值和单模式特性。Xiaochen Ge等 ［ 6 6 ］ 报道了一种基于Si 3 N 4 的异质结构光子晶体微腔，不同区域孔半径的模式间隙提供了横向限制。在具有更紧凑的有源区的设计中可以实现高品质因子和更小的面内泄漏。Noda等 ［ 7 7 ］ 设计了一种基于GaAs的光子晶体面发射激光器，通过引入两个具有不同带隙的光子晶体结构所组成的面内异质结构，利用带边处的光反馈以及两个光子晶体边界处的反射实现激光模式的强面内限制，在9 μm直径内实现单模激光工作，并具有大于40 GHz的3 dB调制带宽。 异质结构光子晶体微腔利于实现高品质因子（ Q ）和小模场体积（ V m ）的光子谐振，同时具备对腔体大小、模场体积和品质因子的可调控。且其不需要打开完整的带隙，从而对折射率对比度的要求会降低 ［ 8 8 - 9 9 8-9 ］ ，适合应用于材料折射率差小的可见光波段中。GaN具有直接带隙、易发光、热导率高、耐高温、耐酸碱、硬度高等优良的光电和物理性能 ［ 10 10 - 11 11 10-11 ］ 。通过改变氮化物中In，Ga，Al的含量，可以覆盖0.63~6.2 eV的连续禁带宽度，故可制备紫外、可见光至红外光波段的发光二极管、激光器和其他光电子和光通信技术中使用的器件 ［ 12 12 - 13 13 12-13 ］ 。 本论文提出了基于GaN有源材料体系的异质结构光子晶体微腔，利用时域有限差分方法 （Finite Difference Time Domain， FDTD）对其谐振特性进行了研究，通过开展细致化的核心区和包层区光子晶体结构优化，研究晶格常数a 、孔半径 r 、孔深度d等参数对谐振波长、Q值和V m 的影响，优化出通过不同光子晶体参数结构形成带隙以进行面内谐振的侧向限制，和利用核心区光子晶体的带边理论 ［ 14 14 ］ 面外提取发射的谐振微腔结构。该研究可以为GaN基高效率、低阈值、高速调制特性面发射激光器的理论和设计提供思路和基础。 2 结构及能带分析 1 本研究提出的GaN基异质结构光子晶体谐振腔模型俯视图如 图1 图1 （a）所示，图中蓝色区域为GaN，灰色圆柱区域是空气孔。光子晶体分为核心区和包层区，它们具有相同的晶格常数和不同的圆形空气孔半径 r core 和 r clad 。 N core 和 N clad 分别为核心区和包层区孔的行列数。 图1 图1 （b）为结构的侧视图，结构由下至上为n-GaN层（厚度100n m）、9对InGaN量子阱层（垒层GaN 10 nm/阱层InGaN 3 nm）、p-AlGaN层（厚度35 nm）、p-GaN 层（厚度80 nm）和在其上开孔形成的异质结构光子晶体层（厚度d）。将周围空气的折射率定义为1，将GaN和AlGaN的折射率定义为2.4，InGaN折射率为2.46。 利用平面波展开法 ［ 15 15 - 16 16 15-16 ］ 绘制了该结构的TE模式能带图（ r core =0.31a， r clad =0.26a， a =194 nm），如 图1 图1 （c）所示。由于核心区和包层区之间有效折射率的不匹配和模式的不匹配，两个区域的模式将不会发生耦合，形成能带结构中 Γ 点附近的带隙 ［ 17 17 ］ 。从图中还可以看出，该正方晶格结构没形成完整的带隙，但利用 Γ 点附近的带边（在 Γ 点，核心区和包层区的光子晶体都形成了带边，核心区对应的波长约为450 nm），可以实现面内谐振和面外提取，这样的原理结构意味着对微腔折射率对比度的要求会降低，也不需要像缺陷型微腔那样具有高折射率对比度的悬空结构，从而利于电泵浦实现及具有好的散热性。另外，由于在 Γ 点反射的选择性，其更易于实现单模特性，对结构参数冗余很大。通过选择核心区域中的半径大于空腔的其他区域中的半径，核心区域中该点附近的模式将具有更高的频率，这阻止了它与包层区域中的类似模式耦合。由于有效折射率和模式的不匹配，模式间隙中核心区模式与具有相同频率的高阶包层模式之间的耦合会很小。因此，在这种异质结构中，腔模可以被高Q伪连续域束缚态（BIC）垂直限制在结构中 ［ 6 6 ， 18 18 ］ ，而被模式间隙横向限制在核心区中。 3 结果与讨论 1 3.1　无限面积光子晶体的谐振特性 2 谐振腔品质因子为横向品质因子和垂直品质因子的叠加 ［ 19 19 ］ ，如 公式1 公式1 所示： <math display="block" id="M1"><mfrac><mrow><mn mathvariant="normal">1</mn></mrow><mrow><mi>Q</mi></mrow></mfrac><mo>=</mo><mfrac><mrow><mn mathvariant="normal">1</mn></mrow><mrow><msub><mrow><mi>Q</mi></mrow><mrow><mo stretchy="false">∥</mo></mrow></msub></mrow></mfrac><mo>+</mo><mfrac><mrow><mn mathvariant="normal">1</mn></mrow><mrow><msub><mrow><mi>Q</mi></mrow><mrow><mo>⊥</mo></mrow></msub></mrow></mfrac></math> http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382066&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382065&type= 24.12999916 8.80533314 ， 式中， <math id="M2"><msub><mrow><mi>Q</mi></mrow><mrow><mo stretchy="false">∥</mo></mrow></msub></math> http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382069&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382068&type= 4.65666676 4.14866638 代表横向品质因子用来衡量面内损耗， <math id="M3"><msub><mrow><mi>Q</mi></mrow><mrow><mo>⊥</mo></mrow></msub></math> http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382076&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382075&type= 4.74133301 4.14866638 代表垂直品质因子用来衡量面外损耗。 当光子晶体微腔面积足够大时，面内损耗近似为0，此时 <math id="M4"><mi>Q</mi></math> http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382078&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382077&type= 2.87866688 3.21733332 = <math id="M5"><msub><mrow><mi>Q</mi></mrow><mrow><mo>⊥</mo></mrow></msub></math> http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382076&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382075&type= 4.74133301 4.14866638 ， <math id="M6"><mi>Q</mi></math> http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382078&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382077&type= 2.87866688 3.21733332 只反映垂直损耗。 单独研究核心区 d ， r ， a 三个参量对光子晶体谐振特性的影响，结果如 图2 图2 所示。 固定 d =20 nm， a =194nm，空气孔半径 r 取52~66 nm，研究步长2 nm，网格精度为 a /64，研究 r 与谐振波长和 Q 的关系，结果如图 2 2 （a）和 2 2 （d）所示。空气孔半径 r 的增大使有效介电常数减小，从而使归一化频率增大，波长减小，但影响很小。随着r的增大，微腔的垂直损耗增大。受制于目前的微纳加工工艺，并不能制作太小空气孔，同时减小空气孔半径，会导致带隙减小，制作的冗余度会减小。所以本研究考虑现实可行，研究r最低50 nm左右。 固定 d =20 nm， r =60 nm，晶格常数a取186~198 nm，研究步长2 nm，研究 a 与谐振波长和 Q 的关系，结果如图 2 2 （b）和 2 2 （e）所示。从上图可以看出晶格常数a的增大使有效介电常数增大，从而使归一化频率减小，波长增大，同时 Q 值随着a增大而增大，增长幅度逐渐减小。 固定 a =194 nm， r =60 nm，光子晶体厚度 d 取17~24 nm，研究步长1nm，研究d与谐振波长和 Q 的关系，结果如图 2 2 （c）和 2 2 （f）所示。从 图2 图2 （c）可以看出微腔厚度的增大导致相对于衬底有效介电常数减小从而谐振波长逐渐减小， 图2 图2 （f）可见随着微腔厚度增加， Q 值下降。这是因为高阶的纵模只需花费很小的能量就能够被建立，这些模式的能量稍微高于最低阶模，阻止了带隙的形成，在垂直方向会产生许多泄露模式 ［ 20 20 ］ 从而导致 Q 值下降。如果微腔太薄，在工艺上难以制作，并且会和衬底有较强的相互作用，所以我们选择20 nm厚度进行后续研究。 3.2　有限面积光子晶体的谐振特性 2 众所周知，BIC中受对称性保护的束缚态存在于点 Г ，具有最大的垂直品质因子。而对于有限结构，大面积的微腔， Г 点附近的伪BIC将为垂直限制提供高的品质因子。基于上一节的研究，固定核心区 d =20 nm， a =194 nm， r =60 nm，研究了36 μm 2 ，81 μm 2 ，144 μm 2 ，225 μm 2 等一定核心区面积的光子晶体微腔的谐振特性。结果如 表1 表1 所示。相比于无限面积，有限面积的品质因子大为下降，原因就是产生了很大的面内损耗。 面积/μm 2 波长/nm Q Q ⊥ Q ∥ 36 446.735 90 13 000 91 81 447.538 206 13 000 265 144 448.531 851 13 000 910 225 449.138 906 13 000 974 从 表1 表1 可得随着光子晶体面积的增大，模式频率更接近能带图的 Г 点带边所计算的波长值，同时面内损耗得到改善，但面内损耗依然是腔泄露的主要因素，由 式（1） 式（1） 得总的品质因子主要由面内损耗决定，此时 Q 值主要受限于微腔的尺寸。但可以预计达到一定面积时，面内损耗达到最低， Q 值将达到饱和，并接近于无限面积时微腔的 Q 值。 3.3　异质结构光子晶体谐振特性研究 2 以 a =194 nm， r core =60 nm作为核心区光子晶体参数，并取 N core =30的正方形作为核心区，先固定包层区 N clad =40，通过选择核心区空气孔的半径大于包层空气孔的半径，核心区中该点附近的模式将具有更高的频率，这阻止了它与包层区中的类似模式耦合。 研究 r clad 对微腔特性的影响，结果如 图3 图3 所示。由 图3 图3 （a）可知 r clad 对谐振波长的影响很小。在核心和包层区域中的模式之间将形成靠近 Γ 的模式间隙。尽管该光子晶体结构在该波长范围内不支持完全的面内带隙，但是由于有效折射率和模式图案的不匹配，基模腔模式与具有相同频率的高阶包层模式之间的耦合很小。因此，在异质结构中，腔模可以被横向限制在核心区中。 当包层半径逐渐增加时，核心层和包层之间的晶格失配得到改善（ r clad = r core 时晶格失配最小），面外损耗得到改善，品质因子升高，达到最佳值。超过这个最佳值后，模式的空间限制减小（ r clad = r core 时模式限制最小），因此面内损耗增加。从 图3 图3 （b）可知， r clad =52 nm时Q值达到最大，这是因为核心层和包层的半径之间由于微小的差异获得了最低的面内损耗。大量的损失是由于在核心层的边缘发生的衍射损失。 图3 图3 （c）所示为 r clad =52 nm时基模在此异质结构中的光场分布图，光场被主要限制在核心区，与包层区域重叠较小。 接下来固定 r clad =52 nm，研究 N clad 对微腔特性的影响。结果如 图4 图4 所示。 图4 图4 （a）验证了我们的解释， N clad 对谐振波长的影响同样很小，因为核心区模场与包层区域重叠很小。 图4 图4 （b）可知随着， N clad 的增加， Q 值逐渐达到饱和，这表明随着包层层数的增加面内损耗逐渐减小，腔泄漏的限制因素从面内损耗变为面外损耗。 图4 图4 （c）显示，模场体积随着包层层数增大而增大，光场会覆盖更多的包层区，形成损耗更低的面内反馈，品质因子得到改善。 光子寿命由 公式（2） 公式（2） 可得： <math display="block" id="M7"><mi>τ</mi><mo>=</mo><mfrac><mrow><mn mathvariant="normal">2</mn><mi>Q</mi></mrow><mrow><msub><mrow><mi>ω</mi></mrow><mrow><mn mathvariant="normal">0</mn></mrow></msub></mrow></mfrac></math> http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382091&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382090&type= 11.85333347 8.38199997 ， 式中， τ 代表光子的平均寿命， Q 代表谐振腔的品质因子， ω 0 代表谐振频率。 当 N clad 不断增加时，谐振频率基本不变，腔损耗越小，光子寿命则越大，腔内光场衰减越慢。综合考虑我们选取 N clad =130进行后续研究。 以上述优化的 r clad 和 N clad 为基础，研究 N core 对微腔特性的影响。结果如 表2 表2 所示。 N core 波长/nm Q V m /（λ/n） 3 F p 15 453.03 3 500 0.39 683 30 452.823 7 076 0.7 769 45 452.71 10 630 1.49 542 随着 N core 的增加，谐振模式将接近位于能带顶部的 Γ 点，更多的能量存储在空腔内， V m 增大，品质因子 Q 理论上会单调增加。可以预料当 N core 接近无穷大时，将成为具有发散 Q 的真实BIC。品质因子随着核心区的增大而增加，这表明腔的核心越大，光子从发生面外散射的腔边缘连续“反弹”所需的时间就越长。 Purcell因子定义为： <math display="block" id="M8"><msub><mrow><mi>F</mi></mrow><mrow><mi>p</mi></mrow></msub><mo>=</mo><mfrac><mrow><mn mathvariant="normal">3</mn></mrow><mrow><mn mathvariant="normal">4</mn><msup><mrow><mi mathvariant="normal">π</mi></mrow><mrow><mn mathvariant="normal">2</mn></mrow></msup></mrow></mfrac><mo>×</mo><mfrac><mrow><mi>Q</mi></mrow><mrow><msub><mrow><mi>V</mi></mrow><mrow><mi>m</mi></mrow></msub></mrow></mfrac><msup><mrow><mfenced separators="|"><mrow><mfrac><mrow><mi>λ</mi></mrow><mrow><mi>n</mi></mrow></mfrac></mrow></mfenced></mrow><mrow><mn mathvariant="normal">3</mn></mrow></msup></math> http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382095&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=35382094&type= 32.51200104 9.90600014 ， 式中λ为谐振波长，n为介质折射率。Purcell因子 ［ 7 7 ， 21 21 ］ 是表征光学微腔性能的重要参数，高Purcell因子意味着高自发辐射率，有利于激光的产生。从式中可以看出在介质折射率固定，谐振波长基本不变的情况下，Purcell因子主要取决于 Q / V m ，即一个性能优越的微腔要具有高品质因子和小模场体积。经过计算可得 N core =30时Purcell因子相对较大为769，此时谐振波长为452.823 nm， Q 值为7 076，模场体积为0.7（ λ / n ） 3 。此时微腔的场分布如 图5 图5 （a）所示，从图中可以看出，光被很好地束缚在微腔中。 图5 图5 （b）为 N core =45时的光场分布，相比 N core =30光场限制区域随着 N core 的增大而增大。 4 结 论 1 本文提出了一种基于GaN异质光子晶体结构的蓝光波段谐振微腔，结构包括基于不同空气孔大小的光子晶体核心区和包层区。通过能带分析确定和解释了该结构在蓝光波段的微腔谐振机制；分析了无限面积和一定面积光子晶体结构的谐振特点；重点研究了异质结构光子晶体微腔的结构参数对腔损耗、谐振频率、模场体积等的影响，优化出了异质结构微腔的高 Q / V m 谐振参数。在 a =194 nm， r core =60 nm， N core =30， r clad =52 nm， N clad =130时Purcell因子达到769，模场体积为0.7（ λ / n ） 3 。 参考文献 LU Q J ， CHEN X G ， ZOU C L ， et al . Extreme terahertz electric-field enhancement in high-Q photonic crystal slab cavity with nanoholes ［J］. Optics Express ， 2018 ， 26 （ 23 ）： 30851 - 30861 . doi: 10.1364/oe.26.030851 http://dx.doi.org/10.1364/oe.26.030851 Extreme terahertz electric-field enhancement in high-Q photonic crystal slab cavity with nanoholes XU P P ， ZHENG J J ， ZHOU J ， et al . Multi-slot photonic crystal cavities for high-sensitivity refractive index sensing ［J］. Optics Express ， 2019 ， 27 （ 3 ）： 3609 - 3616 . doi: 10.1364/oe.27.003609 http://dx.doi.org/10.1364/oe.27.003609 Multi-slot photonic crystal cavities for high-sensitivity refractive index sensing SHINODA K ， OHTERA Y . Alignment-free filter array： Snapshot multispectral polarization imaging based on a Voronoi-like random photonic crystal filter ［J］. Optics Express ， 2020 ， 28 （ 26 ）： 38867 - 38882 . doi: 10.1364/oe.411488 http://dx.doi.org/10.1364/oe.411488 Alignment-free filter array： Snapshot multispectral polarization imaging based on a Voronoi-like random photonic crystal filter AKAHANE Y ， ASANO T ， SONG B S ， et al . High-Q photonic nanocavity in a two-dimensional photonic crystal ［J］. Nature ， 2003 ， 425 （ 6961 ）： 944 - 947 . doi: 10.1038/nature02063 http://dx.doi.org/10.1038/nature02063 High-Q photonic nanocavity in a two-dimensional photonic crystal GIANNOPOULOS A V ， LI Y J ， LONG C M ， et al . Optical properties of photonic crystal heterostructure cavity lasers ［J］. Optics Express ， 2009 ， 17 （ 7 ）： 5379 - 5390 . doi: 10.1364/oe.17.005379 http://dx.doi.org/10.1364/oe.17.005379 Optical properties of photonic crystal heterostructure cavity lasers GE X C ， MINKOV M ， FAN S H ， et al . Low index contrast heterostructure photonic crystal cavities with high quality factors and vertical radiation coupling ［J］. Applied Physics Letters ， 2018 ， 112 （ 14 ）： 141105 . doi: 10.1063/1.5026433 http://dx.doi.org/10.1063/1.5026433 Low index contrast heterostructure photonic crystal cavities with high quality factors and vertical radiation coupling INOUE T ， YOSHIDA M ， ZOYSA M D ， et al . Design of photonic-crystal surface-emitting lasers with enhanced in-plane optical feedback for high-speed operation ［J］. Optics Express ， 2020 ， 28 （ 4 ）： 5050 - 5057 . doi: 10.1364/oe.385277 http://dx.doi.org/10.1364/oe.385277 Design of photonic-crystal surface-emitting lasers with enhanced in-plane optical feedback for high-speed operation PAINTER O ， LEE R K ， YARIV A ， et al . Two-dimensional photonic bandgap defect laser ［J］. 1999 ： CPD21 . doi: 10.1364/nlda.1999.lmd3 http://dx.doi.org/10.1364/nlda.1999.lmd3 Two-dimensional photonic bandgap defect laser XIONG Y F ， YE H Q ， UMEDA T ， et al . Photonic crystal circular defect （CirD） laser ［J］. Photonics ， 2019 ， 6 （ 2 ）： 54 . doi: 10.3390/photonics6020054 http://dx.doi.org/10.3390/photonics6020054 Photonic crystal circular defect （CirD） laser 张雨茜 ， 陆志成 ， 张伟 ， 等 . 硅基纳米柱GaN-LED的制备与光谱特性分析 ［J］. 光谱学与光谱分析 ， 2019 ， 39 （ 8 ）： 2450 - 2453 . 硅基纳米柱GaN-LED的制备与光谱特性分析 ZHANG Y X ， LU ZH CH ， ZHANG W ， et al . Study of the fabrication and spectral analysis of silicon-based nanocolumn GaN-LED ［J］. Spectroscopy and Spectral Analysis ， 2019 ， 39 （ 8 ）： 2450 - 2453 . （in Chinese） Study of the fabrication and spectral analysis of silicon-based nanocolumn GaN-LED 江孝伟 ， 赵建伟 ， 武华 . 高光提取效率倒装发光二极管的设计与优化 ［J］. 激光与光电子学进展 ， 2018 ， 55 （ 9 ）： 396 - 401 . doi: 10.3788/lop55.092302 http://dx.doi.org/10.3788/lop55.092302 高光提取效率倒装发光二极管的设计与优化 JIANG X W ， ZHAO J W ， WU H . Design and optimization of flip-chip light-emitting diode with high light extraction efficiency ［J］. Laser ＆ Optoelectronics Progress ， 2018 ， 55 （ 9 ）： 396 - 401 . （in Chinese） . doi: 10.3788/lop55.092302 http://dx.doi.org/10.3788/lop55.092302 Design and optimization of flip-chip light-emitting diode with high light extraction efficiency 洪国彬 ， 杨钧杰 ， 卢廷昌 . 蓝紫光氮化镓光子晶体面射型激光器 ［J］. 中国光学 ， 2014 ， 7 （ 4 ）： 559 - 571 . doi: 10.3788/co.20140704.0559 http://dx.doi.org/10.3788/co.20140704.0559 蓝紫光氮化镓光子晶体面射型激光器 HONG G B ， YANG J J ， LU T CH . Blue-Violet GaN-based photonic crystal surface emitting lasers ［J］. Chinese Optics ， 2014 ， 7 （ 4 ）： 559 - 571 . （in Chinese） . doi: 10.3788/co.20140704.0559 http://dx.doi.org/10.3788/co.20140704.0559 Blue-Violet GaN-based photonic crystal surface emitting lasers ALHASSAN A I ， YOUNG E C ， ALYAMANI A Y ， et al . Reduced-droop green III-nitride light-emitting diodes utilizing GaN tunnel junction ［J］. Applied Physics Express ， 2018 ， 11 （ 4 ）： 042101 . doi: 10.7567/apex.11.042101 http://dx.doi.org/10.7567/apex.11.042101 Reduced-droop green III-nitride light-emitting diodes utilizing GaN tunnel junction LU H Y ， TIAN S C ， TONG C Z ， et al . Extracting more light for vertical emission： high power continuous wave operation of 1.3-μm quantum-dot photonic-crystal surface-emitting laser based on a flat band ［J］. Light： Science & Applications ， 2019 ， 8 ： 108 . doi: 10.1038/s41377-019-0214-2 http://dx.doi.org/10.1038/s41377-019-0214-2 Extracting more light for vertical emission： high power continuous wave operation of 1.3-μm quantum-dot photonic-crystal surface-emitting laser based on a flat band ANTOS R ， VOZDA V ， VEIS M . Plane wave expansion method used to engineer photonic crystal sensors with high efficiency ［J］. Optics Express ， 2014 ， 22 （ 3 ）： 2562 - 2577 . doi: 10.1364/oe.22.002562 http://dx.doi.org/10.1364/oe.22.002562 Plane wave expansion method used to engineer photonic crystal sensors with high efficiency ANTOS R ， VEIS M . Fourier factorization with complex polarization bases in the plane-wave expansion method applied to two-dimensional photonic crystals ［J］. Optics Express ， 2010 ， 18 （ 26 ）： 27511 - 27524 . doi: 10.1364/oe.18.027511 http://dx.doi.org/10.1364/oe.18.027511 Fourier factorization with complex polarization bases in the plane-wave expansion method applied to two-dimensional photonic crystals BORDAS F ， STEEL M J ， SEASSAL C ， et al . Confinement of band-edge modes in a photonic crystal slab ［J］. Optics Express ， 2007 ， 15 （ 17 ）： 10890 - 10902 . doi: 10.1364/oe.15.010890 http://dx.doi.org/10.1364/oe.15.010890 Confinement of band-edge modes in a photonic crystal slab FAN S H ， JOANNOPOULOS J D . Analysis of guided resonances in photonic crystal slabs ［J］. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics ， 2002 ， 65 （ 23 ）： 1 - 8 . doi: 10.1103/physrevb.65.235112 http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.65.235112 Analysis of guided resonances in photonic crystal slabs FERRIER L ， ROJO-ROMEO P ， DROUARD E ， et al . Slow Bloch mode confinement in 2D photonic crystals for surface operating devices ［J］. Optics Express ， 2008 ， 16 （ 5 ）： 3136 - 3145 . doi: 10.1364/oe.16.003136 http://dx.doi.org/10.1364/oe.16.003136 Slow Bloch mode confinement in 2D photonic crystals for surface operating devices CHO H ， CHUNG J ， SONG J ， et al . Importance of Purcell factor for optimizing structure of organic light-emitting diodes ［J］. Optics Express ， 2019 ， 27 （ 8 ）： 11057 - 11068 . doi: 10.1364/oe.27.011057 http://dx.doi.org/10.1364/oe.27.011057 Importance of Purcell factor for optimizing structure of organic light-emitting diodes ZHENG Y D ， XIAO F A ， LIU W J ， et al . Purcell effect and light extraction of Tamm-plasmon-cavity green light-emitting diodes ［J］. Optics Express ， 2019 ， 27 （ 21 ）： 30852 - 30863 . doi: 10.1364/oe.27.030852 http://dx.doi.org/10.1364/oe.27.030852 Purcell effect and light extraction of Tamm-plasmon-cavity green light-emitting diodes 10.37188/OPE.XXXXXXXX.0001 TN256 TN36 A 1004-924X（XXXX）XX-0001-08 沈威,徐许,高宏伟等.氮化镓基异质结构光子晶体微腔特性[J].光学精密工程,DOI:10.37188/OPE.XXXXXXXX.0001 沈威,徐许,高宏伟等.氮化镓基异质结构光子晶体微腔特性[J].光学精密工程,DOI:10.37188/OPE.XXXXXXXX.0001 SHEN Wei,XU Xu,GAO Hongwei,et al.Study on the characteristics of gallium nitride based hetero-structure photonic crystal micro-cavity[J].Optics and Precision Engineering,DOI:10.37188/OPE.XXXXXXXX.0001 SHEN Wei,XU Xu,GAO Hongwei,et al.Study on the characteristics of gallium nitride based hetero-structure photonic crystal micro-cavity[J].Optics and Precision Engineering,DOI:10.37188/OPE.XXXXXXXX.0001 信息光子学与光通信国家重点实验室（北京邮电大学）开放基金（IPOC2021B03）； 国家留学基金（201908320061）；中国博士后科学基金（2018M640507）；南京邮电大学研究基金（NY218046） 2022-06-24 2022-08-22 2022-09-30 2022-09-30 光学精密工程