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Ga掺杂ZnO微米棒紫外光探测器的制备与特性
现代应用光学 | 更新时间:2024-03-14
    • Ga掺杂ZnO微米棒紫外光探测器的制备与特性

    • Fabrications and characteristics of Ga-doped ZnO microrods ultraviolet photodetectors

    • 最新研究显示,通过Ga掺杂ZnO微米棒制备的紫外光探测器性能优异,1% Ga掺杂样品响应度最高,为紫外光探测技术发展提供新思路。
    • 光学精密工程   2024年32卷第5期 页码:643-652
    • DOI:10.37188/OPE.20243205.0643    

      中图分类号: TN361
    • 收稿日期:2023-08-02

      修回日期:2023-10-09

      纸质出版日期:2024-03-10

    移动端阅览

  • 袁兆林,吴永炜,余璐瑶等.Ga掺杂ZnO微米棒紫外光探测器的制备与特性[J].光学精密工程,2024,32(05):643-652. DOI: 10.37188/OPE.20243205.0643.

    YUAN Zhaolin,WU Yongwei,YU Luyao,et al.Fabrications and characteristics of Ga-doped ZnO microrods ultraviolet photodetectors[J].Optics and Precision Engineering,2024,32(05):643-652. DOI: 10.37188/OPE.20243205.0643.

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相关作者

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阜阳师范大学 计算机与信息工程院
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