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Micro-LED芯片激光去除机理及工艺参数优化
微纳技术与精密机械 | 更新时间：2024-05-18
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    • Micro-LED芯片激光去除机理及工艺参数优化

    • Mechanism for laser-induced damage bad chip of Micro-LED and optimization of processing parameters

    • “科技新闻播报：为提高Micro-LED显示面板制造质量，专家利用COMSOL建立激光双温烧蚀模型，优化了Micro-LED不良芯片的激光去除机理和工艺参数。通过单脉冲激光推算烧蚀阈值，拟合激光参数与烧蚀深度关系，验证模型准确性。研究结果显示，飞秒激光烧蚀模型最大误差为9.28%，优化模式实现快速精准剥离和高质量整平修复，对规模化生产中不良芯片修复具有重要指导作用。”
      ”
    • 光学精密工程   2024年32卷第9期 页码：1360-1370

    • DOI：10.37188/OPE.20243209.1360    

      中图分类号： TN249

    • 纸质出版日期：2024-05-10，

      收稿日期：2024-02-02，

      修回日期：2024-02-29，

    扫 描 看 全 文

  • 乔健,吴振铎,彭信翰等.Micro-LED芯片激光去除机理及工艺参数优化[J].光学精密工程,2024,32(09):1360-1370. DOI： 10.37188/OPE.20243209.1360.

    QIAO Jian,WU Zhenduo,PENG Xinhan,et al.Mechanism for laser-induced damage bad chip of Micro-LED and optimization of processing parameters[J].Optics and Precision Engineering,2024,32(09):1360-1370. DOI： 10.37188/OPE.20243209.1360.

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