4H-SiC界面飞秒激光退火及其电学性能优化

任瑜启; 岳云帆; 李盛; 柴年垚; 陈襄玉; 曾终乐; 赵峰毅; 王欢; 王学文

doi:10.37188/OPE.20243219.2889

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4H-SiC界面飞秒激光退火及其电学性能优化

现代应用光学 | 更新时间：2024-11-20

- 4H-SiC界面飞秒激光退火及其电学性能优化
- Femtosecond laser annealing of 4H-SiC interfaces and optimization of their electrical performance
- “在高频高功率器件领域，通过飞秒激光退火优化SiC界面电学性能，实现了肖特基势垒和载流子浓度的显著变化。”
- 光学精密工程 2024年32卷第19期页码：2889-2898
- 作者机构：
  
  1.武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室先进材料与器件飞秒光制造中心，湖北武汉 430070
  2.佛山仙湖实验室，广东佛山 528000
  3.武汉理工大学材料科学与工程学院，湖北武汉 430070
  4.武汉理工大学材料科学与工程国际化示范学院，湖北武汉 430070
- 作者简介：
  
  [ "任瑜启（1997-），男，河南平顶山人，硕士研究生，2020年于华北水利水电大学获得学士学位，主要从事半导体飞秒激光退火技术方面的研究。E-mail:317527@whut.edu.cn" ]
  [ "王学文（1990-），男，江西吉安人，博士，教授，博士生导师，澳大利亚斯文本科技大学博士后，武汉理工大学15551青年拔尖人才、湖北省百人计划入选者，武汉理工大学先进材料与器件飞秒光制造中心副主任，佛山仙湖实验室能源材料激光制备技术实验室负责人，主要从事先进材料飞秒激光制备理论与技术的研究。E-mail:xwwang@whut.edu.cn" ]
- 基金信息：
  
  海南省科技计划三亚崖州湾科技城联合项目(2021JJLH0058);国家重点研发计划资助项目(2020YFA0715000);广东省基础与应用基础研究基金资助项目(2021B1515120041)
- DOI：10.37188/OPE.20243219.2889
  中图分类号： TN248
- 纸质出版日期：2024-10-10，
  
  收稿日期：2024-04-23，
  
  修回日期：2024-06-22，
- 稿件说明：
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任瑜启,岳云帆,李盛等.4H-SiC界面飞秒激光退火及其电学性能优化[J].光学精密工程,2024,32(19):2889-2898.

REN Yuqi,YUE Yunfan,LI Sheng,et al.Femtosecond laser annealing of 4H-SiC interfaces and optimization of their electrical performance[J].Optics and Precision Engineering,2024,32(19):2889-2898.
任瑜启,岳云帆,李盛等.4H-SiC界面飞秒激光退火及其电学性能优化[J].光学精密工程,2024,32(19):2889-2898. DOI： 10.37188/OPE.20243219.2889.

REN Yuqi,YUE Yunfan,LI Sheng,et al.Femtosecond laser annealing of 4H-SiC interfaces and optimization of their electrical performance[J].Optics and Precision Engineering,2024,32(19):2889-2898. DOI： 10.37188/OPE.20243219.2889.

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