2 m大口径RB-SiC反射镜的磁控溅射改性

刘震; 高劲松; 刘海; 王笑夷; 王彤彤

doi:10.3788/OPE.20162407.1557

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2 m大口径RB-SiC反射镜的磁控溅射改性

现代应用光学 | 更新时间：2020-08-13

- 2 m大口径RB-SiC反射镜的磁控溅射改性
- Surface modification of 2 m RB-SiC substrate by magnetron sputtering
- 光学精密工程 2016年24卷第7期页码：1557-1563
- 作者机构：
  
  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学系统先进制造技术重点实验室, 吉林长春 130033
- 作者简介：
  
  刘震(1980-), 男, 河北邯郸人, 博士, 助理研究员, 2003年于长春理工大学获得学士学位, 2011年于中科院长春光学精密机械与物理研究所获得博士学位, 主要从事光学薄膜理论和制备方面的研究。E-mail:liuzhencl@163.com E-mail:liuzhencl@163.com
  [ "高劲松(1968-), 男, 吉林白城人, 博士, 研究员, 博士生导师, 1989年于浙江大学获得学士学位, 2005年于中科院长春光学精密机械与物理研究所获得博士学位, 主要从事光学薄膜的前沿研究以及特种光学薄膜的制备等。E-mail:gaojs@ciomp.ac.cn" ]
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(60478035)
- DOI：10.3788/OPE.20162407.1557
  中图分类号： O484.1;TN307
- 收稿日期：2015-12-11，
  
  录用日期：2016-2-1，
  
  纸质出版日期：2016-07
- 稿件说明：
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刘震, 高劲松, 刘海, 等. 2 m大口径RB-SiC反射镜的磁控溅射改性[J]. 光学精密工程, 2016,24(7):1557-1563.

Zhen* LIU, Jin-song GAO, Hai LIU, et al. Surface modification of 2 m RB-SiC substrate by magnetron sputtering[J]. Optics and precision engineering, 2016, 24(7): 1557-1563.
刘震, 高劲松, 刘海, 等. 2 m大口径RB-SiC反射镜的磁控溅射改性[J]. 光学精密工程, 2016,24(7):1557-1563. DOI： 10.3788/OPE.20162407.1557.

Zhen* LIU, Jin-song GAO, Hai LIU, et al. Surface modification of 2 m RB-SiC substrate by magnetron sputtering[J]. Optics and precision engineering, 2016, 24(7): 1557-1563. DOI： 10.3788/OPE.20162407.1557.

摘要

为了消除RB-SiC反射镜直接抛光后表面存在的微观缺陷，降低抛光后表面的粗糙度，提高表面质量

针对大口径SiC的特性，选择Si作为改性材料，利用磁控溅射技术对2 m量级RB-SiC基底进行了表面改性。在自主研发的

3.2 m的磁控溅射镀膜机上进行基底镀膜，利用计算机控制光学成型法对SiC基底进行了抛光改性。实验结果表明，改性层厚度达到15

m；在直径2.04 m范围内，膜层厚度均匀性优于±2.5%；表面粗糙度由直接抛光的5.64 nm(RMS)降低到0.78 nm。由此说明磁控溅射技术能够用于大口径RB-SiC基底的表面改性，并且改性后大口径RB-SiC的性能可以满足高质量光学系统的要求。

Abstract

In order to eliminate the surface microdefect after the direct polishing of RB-SiC substrate

reduce the surface roughness and increase the surface quality

Si was selected as the modified material based on the features of large aperture SiC

where a 2 m-level RB-SiC substrate was modificated by using the magnetron sputtering technology. The silicon film was deposited by a developed

3.2 m magnetron sputtering coating machine

and the SiC substrate was polished and modificated based on the computer control optical molding method. The result indicates that the thickness of modified level reaches 15

m; the thickness uniformity of the film level is better than ±2.5% within the diameter of 2.04 m; the surface roughness decreases from 5.64 nm (RMS) to 0.78 nm. Therefore a the magnetron sputtering technology can be used in the surface modification of the large aperture RB-SiC

and the performance of the modificated RB-SiC substrate can meet the requirements of high-quality optical systems.

关键词

Keywords

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