化学气相沉积(CVD)碳化硅厚膜的实验研究

金哲镐; 马天驰; 于传瑾

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

化学气相沉积(CVD)碳化硅厚膜的实验研究

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 化学气相沉积(CVD)碳化硅厚膜的实验研究
- An Experimental Study of Chemical Vapour Deposition (CVD) of Silicon Carbide
- 光学精密工程 1987年0卷第1期页码：59-64
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 网络出版日期：1987-02-15，
  
  纸质出版日期：1987-02-15
- 稿件说明：
移动端阅览
金哲镐, 马天驰, 于传瑾. 化学气相沉积(CVD)碳化硅厚膜的实验研究[J]. 光学精密工程, 1987,(1): 59-64

Jin Zhegao, Ma Tianchi, Yu Chanjin. An Experimental Study of Chemical Vapour Deposition (CVD) of Silicon Carbide[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1987,(1): 59-64
金哲镐, 马天驰, 于传瑾. 化学气相沉积(CVD)碳化硅厚膜的实验研究[J]. 光学精密工程, 1987,(1): 59-64 DOI：

Jin Zhegao, Ma Tianchi, Yu Chanjin. An Experimental Study of Chemical Vapour Deposition (CVD) of Silicon Carbide[J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering, 1987,(1): 59-64 DOI：

摘要

本研究通过CH

SiCl

体系

温度在1100℃—1500℃范围内

常压下

在石墨基底上CVD—SiC厚膜实验

观察了总流量、温度及CH

SiCl

浓度对沉积速率的影响。用扫描电镜及X射线衍射分析了沉积层的表面形貌及组织结构。结果发现当温度为1300℃、总流量为81/min、CH

SiCl

浓度为12mmol/min时沉积层为择优取向[111]的致密柱状β-SiC

且沉积速率最高

20分钟

沉积量可达10mg/cm

左右。

Abstract

Through the experiment of CVD-SiC thick film on graphite Substrate

with system of CH

SiCl

temperature in range 1100℃—1500℃

under 1 atm pressure

it was observed that the total flow

temperature and the Concentration of CH

SiCl

greatly influenced the coating rate.With SEM and X-Ray diffraction techniques

the morphology and microstructure of the coating were analysed.It comes into that the coating was thick column-shaped β-SiC

with the preferred ori-entation[111]

and the coating rate got the maximum

when the processing temperature was 1300℃

the total flow 81/min

and concentration of CH

SiCl

12mmol/min.In the above condition the coating volume come up to 10.mg/cm

or so

within 20 minutes.

关键词

Keywords

references

浏览量

608

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据