摘要:应用低压反应离子镀(Reactive Low Voltage Ion Plating:RLVIP)在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜。制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的条件下以不同沉积速率制备了C含量( x )从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜。X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构。通过X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ge1-xCx薄膜的化学键合变化。测试结果表明当 x > 0.78时,成键为C-H键;当x在0.53至0.62时,成键为C-C键;当x < 0.47时,成键为Ge-C键。